光刻胶检测项目 光刻胶检测方法

光刻胶是一种用途很广泛的化学制剂，它也被称为光致抗蚀剂，其主要成分是感光树脂、增感剂以及溶剂。光刻胶分为不同的类型，要是想知道光刻胶的配方，便需要进行成分分析了，这时候大家可以选择上海微谱化工技术服务有限公司，这是非常出色的分析机构，可以获得准确的配方。下面小编就给大家介绍光刻胶配方分析流程是怎样的，光刻胶都分为哪些类型。

光刻胶有哪些类型

光刻胶按其形成的图像分类有正性、负性两大类。在光刻工艺过程中，用作抗腐蚀涂层材料。半导体材料在表面加工时，若采用适当的有选择性的光刻胶，可在表面上得到所需的图像。光刻胶生产技术较为复杂，品种规格较多，在电子工业集成电路的制造中，对所使用光刻胶有严格的要求。

光刻胶检测项目

1、感光度，指在胶膜上产生一个良好图形所需一定波长的光的能量值，即曝光量。

2、分辨率，是光刻工艺的一个特征指标，表示在基材上能得到的立体图形良好的*小线路；

3、对比度，指光刻胶从曝光区域到非曝光区域过渡的陡度，对比度越好，得到的图形越好；

4、残膜率，经曝光显影后，未曝光区域的光刻胶残余量；

5、涂布性，光刻胶在基材表面形成无针孔、无气泡、无缺陷、膜厚均一。

光刻胶配方分析流程

1、前处理：主要包括wafer表面的杂质微粒清除、晶圆表面烘干干燥以及wafer表面增粘处理（通常采用HMDS六甲基二硅胺烷旋涂或蒸汽处理、。

2、涂料：即在晶圆表面建立薄的、均匀的、并且没有缺陷的光刻胶膜，一般采用静态旋转涂胶或动态喷洒涂胶。

3、软烘烤：主要是使膜内溶剂挥发，增加光刻胶与衬底之间的粘附性、光吸收以及抗腐蚀能力。

4、对准曝光：对准是把所需图形在晶圆表面定位或对准，而曝光的目的是通过光照将图形转移到光刻胶涂层上。

5、PEB：在曝光时由于驻波效应的存在，光刻胶侧壁会有不平整的现象，曝光后应进行烘烤，可使感光与未感光边界处高分子重新分布，*后达到平衡，基本可以消除驻波效应。

6、显影：即用显影液溶解掉不需要的光刻胶。

7、硬烘烤：目的通过溶液的蒸发来固化光刻胶，此处理提高了光刻胶对衬底的粘附性，为下一步工艺做好准备，提高光刻胶抗蚀刻能力。

8、检验：显影检查是为了查找光刻胶中成型图形的缺陷，兵出去有缺陷的晶圆。

光刻胶按照形成的图像，一般分为正性、负性两大类。想要生产光刻胶的话，***先就要知道配方。***于光刻胶配方分析流程，小编已经在上文中做了介绍。据上海微谱化工技术服务有限公司了解，在检测光刻胶的时候，要进行感光度、分辨率以及残膜率等方面的检测。