芯片失效分析流程 芯片失效分析方法

芯片是电子设备中必不可少的核心部件，它的性能直接影响着手机的运行速度，所以芯片的发展一直是国内科技企业的重中之重。同时，芯片在生产过程中难免会出现错误，因此芯片失效分析也成为了一个非常重要的研究课题。但是，由于目前的芯片制造工艺复杂，并且涉及到多个领域，因此对于芯片失效分析的方法也有很多种。下面给大家介绍一下关于芯片失效的分析方法、项目和标准。

芯片失效分析项目

1.对芯片进行外观检测，判断芯片外观是否有发现裂纹、破损等异常现象。

2.对芯片进行X-Ray检测，通过无损的手段，利用X射线透视芯片内部，检测其封装情况，判断IC封装内部是否出现各种缺陷，如分层剥离、爆裂以及键合线错位断裂等。

3.芯片声学扫描是利用超声波反射与传输的特性，判断器件内部材料的晶格结构，有无杂质颗粒以及发现器件中空洞、裂纹、晶元或填胶中的裂缝、IC封装材料内部的气孔、分层剥离等异常情况。

4.芯片开封作为一种有损的检测方式，其优势在于剥除外部IC封胶之后，观察芯片内部结构，主要方法有机械开封与化学开封。芯片开封时，需特别注意保持芯片功能的完整。

芯片失效分析标准

1.GJB 548C-2021 方法2009.2

2.GJB 548C-2021 方法2012.2

3.GJB 548C-2021 方法2013

4.GJB 548C-2021 方法2030.1

5.JY/T 0584-2020

芯片失效分析方法

1.OM 显微镜观测，外观分析

2.IV曲线量测仪，电压电流分析

3. X－Ray 检测IC封装中的各种缺陷如层剥离、爆裂、空洞以及打线的完整性，PCB制程中可能存在的缺陷如对齐不良或桥接，开路、短路或不正常连接的缺陷，封装中的锡球完整性。（这几种是芯片发生失效后***先使用的非破坏性分析手段）

4.SEM扫描电镜/EDX能量弥散X光仪（材料结构分析/缺陷观察，元素组成常规微区分析，***测量元器件尺寸）

5.取die，开封 使用激光开封机和自动酸开封机将被检样品(不适用于陶瓷和金属封装)的封装外壳部分去除，使被检样品内部结构暴露。

6. EMMI微光显微镜 用漏电流路径分析手段

7.切割制样:使用切割制样模块将小样品进行固定，以方便后续实验进行

8.去层:使用等离子刻蚀机(RIE)去除芯片内部的钝化层，使被检样品下层金属暴露，如需去除金属层观察下层结构，可利用研磨机进行研磨去层。

9. FIB做一些电路修改，切点观察

10. Probe Station 探针台/Probing Test 探针测试。

对有质量问题的芯片进行分析是一个非常考验技术的工作，如果没有足够的经验，很难准确判断出哪些地方出现了问题。而且芯片失效分析需要大量的数据支持。微谱在这方面有着自己的优势，可以快速准确地分析出芯片的失效原因，从而提高产品的可靠性。芯片分析选择微谱是不错的选择。